Описание:

RAITH150-TWO – это электронно-лучевой литограф ультравысокого разрешения, рассчитанный на работу с пластинами и масками вплоть до 7-8 дюймов, который предназначен для центров коллективного пользования и опытно конструкторских отделов предприятий, работающих в области нанотехнологий.

RAITH150-TWO является нанотехнологическим инструментом новейшего поколения и создан специально, чтобы отвечать современной динамике требований в нанотехнологиях. RAITH150-TWO позволяет объединить научные исследования, разработку устройств и мелкосерийное производство в условиях комплексной автоматизации, максимальной воспроизводимости результатов, максимальной скорости работы и расширенного функционала. Простота в обращении, низкая стоимость эксплуатационных затрат, умеренные требования к условиям помещения и небольшой размер занимаемой площади делают RAITH150-TWO производительным и высокоэффективным оборудованием для электронно-лучевой литографии, навигации по пластинам и сканирования чипов с высоким разрешением.

RAITH150-TWO – это мост между научными исследованиями, разработками и мелкосерийным производством.

RAITH150-TWO позволяет осуществлять литографирование с ультра-высоким разрешением и при этом проводить обработку пластин размером вплоть до 8 дюймов и масок вплоть до 7 дюймов. Cтабильность параметров системы и применение методов автоматической корректировки (дрейфа, фокусировки) позволяет осуществлять длительную работу с образцами как малой, так и большой площади поверхности. RAITH150-TWO обеспечивает выполнение самых сложных литографических задач с максимально высокой точностью и воспроизводимостью: сшивка и выравнивание полей экспонирования, многослойная литография с высокоточным наложением (включая метод mix&match), задачи типа step&repeat, бесшовное рисование объектов с высоким аспектным соотношением – например, световодов для волновой оптики шириной в десятки нанометров и длиной до нескольких сантиметров – и периодических структур – например, массивов фотонных кристаллов – с помощью уникальных технологий рисования высокоточным столиком при неподвижном пучке и рисования столиком с определенной модуляцией пучка.

 

Отличительными особенностями системы являются:

• высокая стабильность электронно-оптической колонны (стабильность пучка по току, по дрейфу); точность позиционирования 1 нм лазерного интерферометрического стола,
• широкие возможности по автоматизации и контролю основных параметров при длительном (дни) экспонировании, высокая точность наложения при многослойной литографии и сшивке полей экспонирования (гарантированное среднее значение ошибки, плюс, 3 стандартных отклонения - менее 35 нм; по тестам приемки точность сшивки обычно составляет 15-20 нм), быстрый генератор развертки 20 МГц, гибкость в подборе параметров экспонирования, полная интегрированность (экспонирование, контроль перемещения, CAD и т.д.), максимальное удобство и ориентированность на пользователя программного обеспечения; многопользовательский интерфейс; возможности (опционально) по бесшовному литографированию протяженных и периодических структур; гибкость в настройках электронно-оптической колонны; колонна класса GEMINI; гибкость применения системы расширенный функционал литографа (режимы получения РЭМ-изображений, литографирование по изображению, коррекция эффекта близости, экспонирование элементов по различной траектории растра пучка и т.д.); сниженные требования к температурной стабильности в помещении; интегрируемость в помещения чистых комнат, в том числе, с раздельной установкой загрузочной камеры в чистом помещении и основной системы – в «сером» помещении; полностью сухая вакуумная система.

Основные блоки, а также все программное обеспечение систем компании Raith разрабатывается и производится на единой фабрике в Германии. На территории РФ осуществляется сервисная поддержка (силами инженеров Raith и ООО ОПТЭК). Проводятся также регулярные встречи Raith пользователей оборудования для обмена опытом.

 

Программное обеспечение:

Raith Nanosuite. Стандарт GDSII. Единый модуль дизайна CAD-объектов с привязкой к слоям, параметрам экспонирования, контроль позиционирования в системе координат образца, скриптинг, автоматизация, “DirectAlignDesign”, “Flexposure”, коррекция эффекта близости, литография в 3D.

 

	5-нм линии, экспонированные в резисте HSQ.
	Бесшовное литографирование протяженных структур (Изображение: оптический волновод – линия задержки)
	Микроколонны GaAs с высоким аспектным соотношением (P. Paulitschke, LMU München, Germany)

 

RAITH150-TWO – мост между научным исследованием, разработкой и мелкосерийным производством

 

 

Технические характеристики:

Лазерный интерферометрический стол	150х150х20 мм Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <35 нм (среднее значение + 3 сигма) Точность позиционирования 1 нм
Электронно-оптическая колонна	Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <2 нм Колонна без кроссоверов (т.е. без пересечений траекторий лучей пучка): низкие аберрации, высокая плотность тока зонда (> 7 500 A/cm2), высокое пространственное разрешение как при высоких, так и при низких ускоряющих напряжениях Внутрилинзовый детектор вторичных электронов Метрологические возможности и получение РЭМ-изображений при ускоряющих напряжениях в то числе менее 1 кВ Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 8 часов) Непревзойденная точность позиционирования луча на образце
Энергия луча	100 эВ – 300 кэВ
Зондовый ток	5 пА – 20 нА
Режимы и характеристики	Полная автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, e-mail отчет текущего статуса процесса GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF “DirectAlignDesign” “Flexposure” коррекция эффекта близости литография и 3D
Минимальная ширина линии травления	< 10 нм
Генератор развертки	20МГц
Бесшовная литография протяженных и периодических структур	traxx   periodixx
Защитный кожух системы	Допустимая нестабильность температуры в помещении ±2 °C

 

Технология

GEMINI, Raith Fixed Beam Moving Stage, Raith Modulated Beam Moving Stage

 

Дополнительное оборудование

• Система газовой химии на 5 линий. Полный спектр газообразных реактивов-прекурсоров.
• Энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX)
• Внутрилинзовый детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по энергии (EsB)
• Четырех-секционный детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по углу (AsB)
• Плазменная очистка камеры образца
• Система автоматического выравнивания плоскости фокуса
• Модуль наклона и поворота образца
• Активная платформа виброподавления